BSS169H6327XTSA1厂家价格_数据手册

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	BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.818872 +10：￥1.668832 +30：￥1.638824 +100：￥1.5488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.090936 +100：￥1.00793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥2.731995 +9000：￥2.639385	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.722334 +30：￥1.138521 +100：￥0.98156 +500：￥0.88461 +1500：￥0.835184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥4.787831 +50：￥2.335262 +100：￥2.132671 +200：￥2.121994 +500：￥1.727487	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
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BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.387993 +200：￥1.065826 +1500：￥0.927026 +3000：￥0.806055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.143734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.089912 +6000：￥1.034501 +9000：￥0.960619 +30000：￥0.938468 +75000：￥0.914514	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

BSS169H6327XTSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SIPMOS®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 欧姆 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.8 nC 7 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	68 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	360mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥2.731995 +9000：￥2.639385	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.722334 +30：￥1.138521 +100：￥0.98156 +500：￥0.88461 +1500：￥0.835184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥4.787831 +50：￥2.335262 +100：￥2.132671 +200：￥2.121994 +500：￥1.727487	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.279 +50：￥1.88334 +1500：￥1.72584 +3000：￥1.583512 +18000：￥1.557317	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSS169H6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.387993 +200：￥1.065826 +1500：￥0.927026 +3000：￥0.806055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 170mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 欧姆 170mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 7 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 68 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
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