BSP315PH6327XTSA1厂家价格_数据手册

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	BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.933817 +10：￥3.278181 +30：￥2.950363 +100：￥2.622545 +500：￥2.316581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.60876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.049372 +50：￥3.107066 +1000：￥2.584977 +20000：￥2.572243 +30000：￥2.559509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.50047 +2000：￥2.458796 +3000：￥2.417121 +4000：￥2.375447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.139479 +50：￥3.087154 +1000：￥3.008668 +3000：￥2.956343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥6.044544 +50：￥4.637952 +1000：￥3.858624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.844697 +2000：￥2.53356 +5000：￥2.400184 +10000：￥2.222422 +25000：￥2.200445	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.915626 +2000：￥4.377983 +5000：￥4.14751 +10000：￥3.840337 +25000：￥3.802362	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.579657 +10：￥9.985898 +100：￥6.91293 +500：￥5.775883	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SIPMOS® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： PG-SOT223-4

BSP315PH6327XTSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SIPMOS®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.17A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	800 毫欧 1.17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	160 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.049372 +50：￥3.107066 +1000：￥2.584977 +20000：￥2.572243 +30000：￥2.559509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.50047 +2000：￥2.458796 +3000：￥2.417121 +4000：￥2.375447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
BSP315PH6327XTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.139479 +50：￥3.087154 +1000：￥3.008668 +3000：￥2.956343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SIPMOS® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.17A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 1.17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）