品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27B-M

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 180 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 400 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 130 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27B-M

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 180 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 400 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 130 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27B-M

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 180 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 400 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 130 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27B-M

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 180 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 400 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 130 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C

Packaging： Tape & Reel (TR)

Tolerance： -

Package / Case： DO-219AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -65°C ~ 175°C

Voltage - Zener (Nom) (Vz)： 180 V

Impedance (Max) (Zzt)： 400 Ohms

Supplier Device Package： DO-219AB (SMF)

Power - Max： 800 mW

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.2 V @ 200 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 1 µA @ 130 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Tolerance： -

Package / Case： DO-219AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -65°C ~ 175°C

Voltage - Zener (Nom) (Vz)： 180 V

Impedance (Max) (Zzt)： 400 Ohms

Supplier Device Package： DO-219AB (SMF)

Power - Max： 800 mW

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.2 V @ 200 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 1 µA @ 130 V

Packaging： Digi-Reel®

Tolerance： -

Package / Case： DO-219AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -65°C ~ 175°C

Voltage - Zener (Nom) (Vz)： 180 V

Impedance (Max) (Zzt)： 400 Ohms

Supplier Device Package： DO-219AB (SMF)

Power - Max： 800 mW

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.2 V @ 200 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 1 µA @ 130 V

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： BZD27B-M

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 180 V

容差： -

功率 - 最大值： 800 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 400 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 130 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 200 mA

工作温度： -65°C # 175°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-219AB

供应商器件封装： DO-219AB（SMF）

温度： -65°C # 175°C