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AUIRF2804S_晶体管-FET,MOSFET-单个
AUIRF2804S
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¥6.711507

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

自营 现货库存
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AUIRF2804S
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MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

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AUIRF2804S
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AUIRF2804S VBSEMI/微碧半导体

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

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系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

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AUIRF2804S
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MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 300W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: D2PAK

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V

Mouser
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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

AUIRF2804S参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK