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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON7296 AOS 授权代理品牌	DFN8L_3X3MM_EP 20.8W 下载数据手册未分类	+1：￥2.505167 +10：￥2.312461 +30：￥2.273928 +100：￥2.158298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DFN (3x3)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON7296 AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AON7296 DFN-8(3x3) 下载数据手册未分类	+20：￥3.826383 +100：￥2.587585 +500：￥1.899458 +5000：￥1.376375 +10000：￥1.307526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON7296 AOS 授权代理品牌	N沟道 100V 12.5A 下载数据手册未分类	+5：￥2.012476 +50：￥1.607074 +150：￥1.43322 +500：￥1.216424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DFN (3x3)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON7296 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN 下载数据手册未分类	+5000：￥0.890209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7296 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.444716 +50：￥1.273388 +100：￥1.250235 +500：￥1.157625 +1000：￥1.114793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7296 AOS 授权代理品牌	AON7296 AOS 下载数据手册未分类	+10：￥1.055754 +300：￥1.038158 +500：￥1.020562 +1000：￥1.002966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7296 AOS 授权代理品牌	AON7296 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥2.074464 +100：￥1.594744 +1250：￥1.335436 +2500：￥1.213539 +5000：￥1.113751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7296 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.250235 +6000：￥1.229398 +9000：￥1.208561 +12000：￥1.187723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7296 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥2.685227 +500：￥2.661843 +1000：￥2.615075 +3000：￥2.568423 +5000：￥2.568423	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AON7296 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥1.343583 +10000：￥1.26641	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

AON7296参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Ta），12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	66 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	415 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），20.8W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AON7296 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN 下载数据手册未分类	+5000：￥0.890209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7296 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.444716 +50：￥1.273388 +100：￥1.250235 +500：￥1.157625 +1000：￥1.114793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7296 AOS 授权代理品牌	AON7296 AOS 下载数据手册未分类	+10：￥1.055754 +300：￥1.038158 +500：￥1.020562 +1000：￥1.002966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7296 AOS 授权代理品牌	AON7296 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥2.074464 +100：￥1.594744 +1250：￥1.335436 +2500：￥1.213539 +5000：￥1.113751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AON7296 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.250235 +6000：￥1.229398 +9000：￥1.208561 +12000：￥1.187723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
AON7296 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥2.685227 +500：￥2.661843 +1000：￥2.615075 +3000：￥2.568423 +5000：￥2.568423	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 66 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 415 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）