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AO4448L
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AO4448L VBSEMI/台湾微碧半导体

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AO4448L_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: SDMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 7V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2005 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: SDMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 7V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2005 pF 40 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AO4448L参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: SDMOS™
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2005 pF 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)