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自营 国内现货
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A2T18S166W12SR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: LDMOS

频率: 1.805GHz # 1.995GHz

增益: -

电压 - 测试: -

额定电流(安培): -

噪声系数: -

电流 - 测试: -

功率 - 输出: 38W

电压 - 额定: 28 V

封装/外壳: NI-780-2S2L

供应商器件封装: NI-780-2S2L

温度:

Digi-Key
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A2T18S166W12SR3_晶体管-FET,MOSFET-射频
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: LDMOS

频率: 1.805GHz # 1.995GHz

增益: -

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噪声系数: -

电流 - 测试: -

功率 - 输出: 38W

电压 - 额定: 28 V

封装/外壳: NI-780-2S2L

供应商器件封装: NI-780-2S2L

温度:

Mouser
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A2T18S166W12SR3_晶体管
A2T18S166W12SR3
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FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2

晶体管

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品牌: NXP USA Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: LDMOS

频率: 1.805GHz # 1.995GHz

增益: -

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额定电流(安培): -

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电流 - 测试: -

功率 - 输出: 38W

电压 - 额定: 28 V

封装/外壳: NI-780-2S2L

供应商器件封装: NI-780-2S2L

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A2T18S166W12SR3参数规格

属性 参数值
品牌: NXP USA Inc.
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
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零件状态: 在售
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.805GHz # 1.995GHz
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电流 - 测试: -
功率 - 输出: 38W
电压 - 额定: 28 V
封装/外壳: NI-780-2S2L
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