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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AOSD62666E_未分类
AOSD62666E
授权代理品牌

2个N沟道 60V 9.5A

未分类

+1:

¥3.540435

+10:

¥2.895727

+30:

¥2.567908

+100:

¥2.24009

+500:

¥2.054327

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AOSD62666E_射频晶体管
AOSD62666E
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

射频晶体管

+3000:

¥4.045205

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14.5 毫欧 9.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 755pF 30V

功率 - 最大值: 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AOSD62666E_null
AOSD62666E
授权代理品牌
+1:

¥17.152272

+100:

¥13.221504

+1000:

¥10.403856

+1500:

¥8.136288

+3000:

¥6.346368

库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: SO-8

FET类型: N-Channel

栅极电压Vgs: 20V

漏源极电压Vds: 60V

连续漏极电流Id: 9.5A

Rds OnMax@Id,Vgs: 14.5mΩ@10V

Pd-功率耗散Max: 2.5W

自营 国内现货
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AOSD62666E_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

射频晶体管

+3000:

¥2.689409

+6000:

¥2.561325

+9000:

¥2.443112

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14.5 毫欧 9.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 755pF 30V

功率 - 最大值: 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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AOSD62666E_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

射频晶体管

+3000:

¥6.579006

+6000:

¥6.265681

+9000:

¥5.976499

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14.5 毫欧 9.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 755pF 30V

功率 - 最大值: 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AOSD62666E_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

射频晶体管

+1:

¥15.859222

+10:

¥13.015992

+100:

¥10.121328

+500:

¥8.579126

+1000:

¥6.988632

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

AOSD62666E_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

射频晶体管

+1:

¥15.859222

+10:

¥13.015992

+100:

¥10.121328

+500:

¥8.579126

+1000:

¥6.988632

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AOSD62666E_未分类
AOSD62666E
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

未分类

+3000:

¥8.55477

+4000:

¥8.469336

+5000:

¥8.385157

+6000:

¥8.30098

+8000:

¥8.218057

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

AOSD62666E参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14.5 毫欧 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 755pF 30V
功率 - 最大值: 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C(TJ)