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飞利浦推出LDMOS技术加速3G蜂窝网络建设步伐

时间:2021-03-21 19:44:16

飞利浦宣布在LDMOS技术上取得重大突破,可以降低3G蜂窝基站的复杂性和运营成本,大大提高性能和可靠性。与现有LDMOS设备相比,飞利浦新型第四代LDMOS技术生产的射频功率晶体管增益更大,运行效率更高。因此,射频功率放大器需要更少的增益和更少的运行能耗。这些新型晶体管具有优异的线性功能(即使在高功率水平下),也意味着可以满足多载波WCDMA和GSMEDGE基站放大器的超低扭曲要求。

行业对3G蜂窝基础设施的推出期待已久,3G蜂窝基础设施也被视为提供更丰富多媒体体验、为移动用户提供更先进数据服务的重要一步。使飞利浦LDMOS技术成为3G基础设施的理想选择,LDMOS技术也适用于世界各地推出的许多数字地面电视系统的发送器。

飞利浦半导体LDMOS射频功率设备市场经理RickDumont表示:随着第四代LDMOS技术的推出,射频功率放大器设计师有了更多的设计空间,更好地解决了效率和线性折衷的困难问题。这些新设备也可以更容易地满足电信行业对WCDMA等系统性能的要求,进一步增强我们作为主要蜂窝基础设施制造商LDMOS射频功率设备的领先地位。

飞利浦新的0.6μmLDMOS技术使得射频功率晶体管的性能达到了一个新的阶段,功率密度提高了50%,WCDMA效率提高了6-8%,功率增长比以前的0.8μm提高了2dB。另外,与传统的LDMOS设备相比,这些晶体管采用的双层金化和金线间连接专利使其平均无故障时间(MTTF)提高了8-10倍,或者设计者设计者可以在结点温度提高20度的情况下使用。

鉴于WCDMA功率放大器本身的低系统效率,这些特性可以大大降低功耗和先进3G基站的散热大器从地面向天线杆的发展。飞利浦第四代LDMOS晶体管的优异补偿线性特别适合多载波功率放大器和未来数字预失真。

第一个使用这种突破性LDMOS的功率晶体管今年第四季度推出样品,明年第一季度开始批量生产。第一个设备是BF4G22-100WCDMA晶体管,增长13.5dB,增长0.1dB(2110-2170MHz),输出24W时的2载波WCDMA运行效率为2。

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