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纳维科技将在苏州建设氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地

时间:2021-03-08 00:11:03

据苏州发展工业企业园区进行发布相关消息,1月24日,苏州纳维科技技术有限责任公司(以下简称“苏州纳维科技”)在园区举行总部大楼奠基仪式。

项目位于苏州南城,总建筑面积1.4万平方米,总建筑面积3.4万平方米。该项目将建立一个 gan 单晶基板研发基地和一个高端产品生产基地,估计每年生产50000个氮化镓单晶基板和外延晶片。

纳维科技将在苏州建设氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地

数据显示,苏州纳维科技成立于2007年5月,致力于第三代半导体产业核心材料氮化物(GaN)单晶基板产业的发展。

据报道,苏州纳维科技完成了材料生长设备向氮化镓单晶衬底开发和产业化的自主研发,率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产,完成了4英寸产品的工程技术开发,突破了6英寸产品的关键核心技术,能够同时批量供应2英寸高导电半绝缘氮化镓单晶。

苏州纳维科技董事长徐科表示,此次奠基的总部大楼将重点承担苏州纳维科技在生产、研发等方面的需求,标志着公司在市场、生产、研发等方面全面发力。
责任编辑:tzh

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