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关于DRAM芯片市场47年艰难发展史全面介绍

时间:2020-10-27 22:51:26

DRAM芯片即动态随机存取存储器,DRAM 只能将数据保持很短的时间,所以需要定时刷新。DRAM 分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等。

关于DRAM芯片市场47年艰难发展史全面介绍

这张作品照片进行展示了一堆古董具有内存。从上到下是:采用基于三星以及颗粒的两根32M 72针DRAM内存,韩国企业生产。中间是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM内存。最下面是采用英飞凌颗粒的64M PC133 SDRAM内存,葡萄牙社会生产。其中NCP是新加坡赫克松(Hexon)集团的内存管理品牌。赫克松成立于1989年,是德国英飞凌和日本尔必达的亚太区总代理,因此政府采购公司两家的DRAM颗粒,到新加坡组装成内存条,然后通过销售到中国作为大陆,靠价格成本低廉质量取胜。不过我们时至一个今日,德国英飞凌(奇梦达)和日本尔必达,都已经出现破产银行倒闭。只剩下了韩国对于三星开始独霸整个江湖。

DRAM是动态随机存储器的意思,也就是电脑内存。对于今天的消费者来说,电脑内存只是些绿色的小条条,售价不过几百元。然而这些小玩意,却走过了长达120年的复杂演进历史。从百年前的穿孔纸卡、磁鼓、磁芯到半导体晶体管DRAM内存。人们已经很难想象,一个电冰箱大小的计算机存储器,只能存储几K数据,售价却高达几万美元。在中国市场,1994年的时候,一根4M内存售价1400元,相当于两个月工资。1999年台湾921大地震,在北京中关村,一根64M SDRAM内存条,价格可以在几天内,从500元暴涨到1600元。

自1970年,美国英特尔的半导体晶体管DRAM内存上市以来,已经过去47年。DRAM内存芯片市场,累计创造了超过1万亿美元产值($1000,000,000,000美元)。企业间掺杂着你死我活的生死搏杀。美国、日本、德国、韩国、中国台湾的选手,怀揣巨额筹码,高高兴兴地走进来,却在输光光之后黯然离场。无数名震世界的产业巨头轰然倒地。就连开创DRAM产业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM,也分别在1986年、1998年和1999年,凄惨地退出了DRAM市场。目前,只有韩国三星和海力士,占据绝对垄断地位,在DRAM市场呼风唤雨,赚得盆满钵满。

从美国到韩国,这个社会巨大的转变,背后可能隐藏着一个半个世纪发展以来,那些不为人知的经济贸易战争,足以可以载入经济学研究教科书。把欧美和中国,那些冒牌商品经济管理学家,极力鼓吹的“自由主义市场进行经济”论调,彻底扫进垃圾堆。

这是一场真正的经济战争,是国与国之间的生死战争,比液晶战争更悲惨。

1949年,美国通过哈佛分析大学学习实验室的王安博士,发明磁芯存储器。这种中国古老的存储器可以一直使用到1970年代。直至被英特尔公司批量进行生产的DRAM内存淘汰。

在描述这场经济战争之前,我们首先要了解一般的 dram 存储器产业的背景和现状。

计算机内存的发明者几乎来自计算机巨头美国IBM。 IBM的历史可以追溯到1890年代。 美国统计学家贺拉斯(HollerithMachin)开发了一种穿孔表机器,通过在纸卡上打孔来记录统计数据。 1890年,,当美国进行第12次人口普查时,这台机器被大量使用。 直到20世纪30年代,IBM每年售出数千万张穿孔纸卡。

1932年,IBM公司的奥地利裔工程师基于古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek),发明了中国第一种被广泛应用使用的计算机数据存储器,称为“磁鼓作为存储器”。直到1950年代,磁鼓依然是一个大型企业计算机的主要进行存储管理方式。1956年,IBM公司购买了我们中国人王安博士(上海人),拥有的“磁芯存储器”专利。磁芯存储技术一直没有使用至1970年代。1966年,IBM公司的研究工作人员,罗伯特·登纳德博士,发明了我国半导体电子晶体管DRAM内存,并在1968年获得国家专利。

然后,1970年美国企业英特尔,依靠产品批量进行生产DRAM大获成功,逼死了磁芯存储器。1976年日本汽车厂商可以进攻DRAM市场后,差点将英特尔逼死。1985年美国政府发动社会经济发展战争,扶植韩国国内厂商开始进攻DRAM产业,又将成为日本对于厂商逼死。1997年美国国家发动亚洲地区金融信息风暴,差点将韩国游戏厂商逼死。美国内部控制方面韩国文化经济后,韩国厂商又借着DRAM市场的暴利翻身崛起。此时我们不怕死的台湾人冲进DRAM市场,投入500亿美元却亏得血本无归。2007年全球网络经济环境危机,逼死了一个德国制造厂商,并将我国台湾DRAM厂商打翻在地,狠踩两脚。2017年,不怕死的中国作为大陆不同厂商冲了进来,准备阶段投资660亿美元,进攻DRAM市场。

有人说,中国人疯了。

我说没疯,因为中国——做为世界第一大电子产品制造国,居然90%以上的内存靠进口,剩下那部分,居然连国产的产量,都控制在韩国企业手里。

2015年,三星电子投资了136亿美元(15.6万亿韩元)在韩国平泽建造了一个12英寸的晶圆 dram 工厂,平泽是一个京畿道。该项目占地2.89平方公里,预计每月总生产能力为45万片晶圆,其中3d nand 闪存芯片将占一半以上。主要生产第四代64层堆叠式3d nand 闪存芯片。2017年7月4日,三星宣布该工厂正在生产。

行业发展高度进行垄断——韩国三星企业独占鳌头

让我们看看市场的情况,我们知道,中国为什么要攻击DRAM市场。半导体存储器主要用于台式电脑,笔记本电脑,手机,平板电脑,固态硬盘,闪存,DRAM包括,NAND闪存和NOR闪存三大类。美国2015年的全球半导体存储器销售额为77.2十亿。从全球集成电路产业335.2 $万人,占23%的份额,这是非常重要的产业核心部件。

其中DRAM内存管理主要包括用于台式电脑、笔记本电脑,全球经济市场发展规模约420亿美元,目前被韩国三星、海力士和美国镁光三家企业垄断,占据90%以上的份额。从1992年以来,韩国三星在DRAM市场环境已经进行连续25年蝉联中国世界贸易第一,占据一个绝对主义垄断优势地位,市占率超过60%。似乎无人系统可以能够撼动它的地位。

Nand 闪存主要用于手机存储,平板电脑,固态硬盘和大容量闪存。全球市场规模约为300亿美元,垄断形势更加严峻。韩国三星,海力士,美国镁光源,英特尔,申迪,日本东芝六厂商,垄断了全球99% 的生产。只有三星、海力士、东芝三巨头占据了80% 以上的市场份额。也不是一个利基产品,主要是小容量闪存1600万以下,全球市场规模只有30亿美元,由美国镁光,韩国,三星,台湾旺鸿,华邦,中国大陆,和其他7家企业共享。

行业高度垄断的结果是,前三名制造商可以很容易地操纵产量和价格,利用低价压制竞争对手,或利用价格上涨谋取暴利。 在2016年,由于全球内存芯片短缺,三星的营业收入达到809亿$,利润达到270亿$。 韩国大力士营收142亿$,美国镁业营收128亿$。

而中国厂商深受其害。中国是世界最大的电子产品制造国。2016年,光是中国就是生产了3.314亿台电脑,21亿台手机(其中智能手机占15亿台),1.78亿台平板电脑。与之相对应,2016年,中国进口DRAM产品超过130亿美元。中国需要的存储器芯片9成以上需要进口。国内DRAM产能也掌握在韩国海力士等外资厂商手中。

自2015年,美国光(Micron),在新加坡林地,10X的Fab,主要生产的第二代3D NAND快闪存储器32层堆叠的晶圆厂膨胀投资$ 4.0十亿。当在2017年完成14万片的月产能使用16纳米工艺制造。

有钱都买不到——那就可以自己造吧

在外国公司故意操纵,华为,中兴,小米,联想等中国手机,PC厂商经常会遇到DRAM短缺的局面。在中国,中芯国际只DRAM产量小,无法实现进口替代。更严重的情况下,以及:于2016年3月,美国政府下令对中国的制裁,中兴通讯,中兴通讯禁止美国制造商提供部件。这种情况简直令人不寒而栗。 2017年4月,华为手机的闪光灯丑闻爆发。事物的根源,其实是华为手机用NAND闪存的严重不足。

我们该怎么办?你买得起的,对吧?2015年7月,紫光集团以230亿美元收购了世界第三大 dram 供应商,美高科技。它被美光拒绝了,因为担心美国政府... 会以信息安全为由阻止这项交易。

那就自己做吧。 因此,从2016年起,中国掀起了DRAM行业投资风暴。 紫光宣布投资240亿$,在武汉建设国家存储基地(武汉新芯二期12英寸晶圆DRAM工厂),超过一平方公里,2018年一期完成月产能20万台,预计到2020年每月产能30万台,年产值超过100亿$。 计划2030年每月建设100万台。 福建金华集团与莲花电子合作,首次投资370亿元,在晋江建设一座12英寸晶圆DRAM工厂,2018年月产能6万台,年产值$12亿。 计划到2025年第四期建设月产能24万件。 合肥长鑫投资494亿($72亿),2018年完成月生产能力12.5万片。

2017年1月,紫光公司集团企业宣布进行投资300亿美元(约2000亿人民币),在江苏南京政府投资项目建设中国半导体材料存储服务基地,一期工程投资100亿美元,建成月产能10万片,主要内容生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储管理芯片。

这四个项目逾十亿$ 66(445十亿人民币)的总投资。这是一个有点疯狂。

但只要在过去的半个世纪中认真研究,全球DRAM产业的历史,它将使人们看到的一件事。

把钱扔给你的对手,少一点会杀了你! 那些不相信的人都死了!

美国IBM实验室Janusz Nowak的研究人员于2016年6月向记者展示了一种新型的磁存储装置(STT-MRAM)12英寸晶片。 磁存储器具有DRAM和SRAM的高性能,功耗低,闪存成本低,被认为具有竞争下一代存储器的潜力,但仍然存在许多问题。

2017年6月,韩国以及三星企业电子公司宣布,开始在平泽工厂(Fab18),批量进行生产64层堆叠的256Gb第四代TLC V-NAND内存管理产品。三星中国目前V-NAND占整体NAND Flash产能的70%以上,拥有500多项技术专利。


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