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紫光集团将在重庆建设DRAM总部研发中心及芯片制造工厂 开始进军DRAM领域

时间:2020-10-27 22:49:23

继6月底宣布组建DRAM事业群后,日前紫光集团DRAM开始落地工厂建设。8月27日,重庆市政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。

协议项下,紫光集团将启动在重庆两江新区设立紫光国家核心集成电路有限公司和重庆紫光集成电路产业基金,在重庆建设DRAM总部研发中心,紫光DRAM企业集团总部,DRAM存储芯片制造厂,紫光科技园等。

据了解,紫光重庆DRAM存储管理芯片设计制造企业工厂发展主要可以专注于12英寸DRAM存储系统芯片的制造,该工厂工作计划于2019年底开工项目建设,预计2021年建成投产。在芯片工厂建成前,紫光集团先期在现有芯片工厂内设立一个产品中试生产线,进行分析产品安全生产加工工艺信息技术创新研发,待工艺成熟后在紫光重庆芯片工厂量产。

有备而来:一个良好的基础重量级高管+

进军DRAM领域,紫光公司集团为了有备而来。

两个月前,公司宣布成立 dram,任命刁世敬为 dram 董事长,高奇泉为 dram ceo。这两位数字相信业内人士对此并不陌生,无论是在集成电路还是存储芯片领域都有着深厚的积累和经验。

刁世敬在ICT领域有着30多年的从业经验,被誉为中国ICT领域的灵魂人物,经验突出,去年正式加入紫光集团,现担任紫光集团联席总裁,紫光国微董事长,紫光展瑞执行董事长,长江储汇执行董事等职务。

紫光集团将在重庆建设DRAM总部研发中心及芯片制造工厂 开始进军DRAM领域

高启全自1980年起就一直在发展半导体及DRAM领域相关从业,是全球DRAM领域具有资深专业人士工作之一。他于2015年加入紫光公司集团,现担任紫光集团作为全球企业执行副总裁、长江存储系统执行独立董事及代行董事长、武汉新芯CEO。

除了配置了两位重量级高管,在DRAM紫光集团的领域也已经积累了事实。据了解,紫光集团在2014年初曾表示,以DRAM的发展的承诺,但它是为了平衡行业和地方发展,建立NAND闪存的发展路线的。

如今,紫光集团企业旗下的长江存储已建立起NAND Flash存储管理芯片技术设计到制造的完整产业链,有了长江存储的工厂制度建设发展以及数据存储系统芯片生产制造的经验,紫光集团有望迅速通过完成DRAM新工厂的兴建。

此外,集团的西安紫紫芯全国前身为西安中国核心半导体,是原奇梦达科技(西安)有限公司于2009年5月改制改造,奇梦达的基础上发展起来科技是由英国玲从记忆飞分拆公司,是全球第二大DRAM公司。西安有来自DRAM产品紫芯的国家项目,指标定义,电路设计,版图设计到硅片,颗粒剂,内存测试和售前技术支持和全体技术积累的领域。

据报道,西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品(ECC DRAM)。其开发的存储器芯片产品覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4,存储器模组产品包括服务器内存模组(RDIMM,NVDIMM)、笔记本内存模组(SODIMM)和台式机内存模组(UDIMM)。

有刁石京和高启全两大巨头的掌舵以及通过上述在DRAM领域的良好学习基础,业界认为紫光集团企业进军DRAM后续教育发展问题值得我们期待。

从NAND存储器芯片布局的DRAM

根据我们此次签署的协议,紫光集团拟在重庆发起设立的紫光国芯集成系统电路股份有限责任公司将作为紫光集团管理已经和未来在各地设立的存储芯片设计制造工厂的投资市场主体,打造世界级存储芯片研究领域具有核心文化产业集团。

此前,紫光集团提出了“从核心到云”的战略布局,主要由核心产业和云产业两部分组成。 核心产业包括三大板块:集成芯片,安全芯片,内存。 其中,存储板块主要由长江存储为核心,紫光存储组成,包括存储芯片的设计,生产以及相关存储产品的开发。

自2016年以来,紫光集团在武汉、南京和成都建立了三个存储芯片制造厂。其中,武汉长江存储公司在武汉研制的新一代3 d nand 闪存芯片的基础上,成功地设计制造了中国第一款3 d nand 闪存芯片。2018年8月,长江存储公司宣布推出新的3d nand 结构,xtacking,紫光公司首次展出了来自长江存储公司的64层3d nand 闪存芯片,计划于今年年底生产。

除长江仓储外,紫光集团董事长赵卫国公开表示,紫光集团在成都,南京等比例复制武汉工厂。

紫光南京信息集成系统电路产业基地进行项目管理计划总占地约1500亩、总投资300亿美元,主要通过产品为3D NAND Flash存储技术芯片和DRAM内存芯片。2018年9月30日,该项目工程一期正式开始开工生产建设,根据浦口经济发展开发区消息,截止2019年4月上旬,项目活动现场桩基(总约1.5万根)施工和内部工作正式学习道路(共7条)全部过程结束。

2018年10月,紫光内存成都制造基地正式开工,该项目总占地面积约1200亩,为$ 24十亿,总投资,将建成12英寸三维NAND内存晶圆生产线并进行存储芯片和模块解决产品开发,生产制造和市场营销相关的项目。

随着我们这次紫光存储管理芯片技术产业发展基地建设项目进行签约落地重庆,紫光集团在DRAM领域踏出重要问题一步,DRAM存储芯片设计制造工厂日后若开建落成,这将是紫光集团旗下的又一座存储芯片可以制造工厂。

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