Transphorm和贸泽电子宣布达成全球分销协议

高可靠性高电压氮化镓(GaN)半导体设计和制造领袖TransphormInc.今天宣布，已与Mouser电子公司签署了全球分销协议，授权该公司在全球分销其最新的半导体和电子元器件。 根据协议，茂泽电子将分发TransphormJEDEC和AEC-Q101认证的GaNFET和评估工具。

截至今天，贸泽电子可供应Transphorm的900 V TO-220和650 V TO-247 TO-247及TO-220 GaN FET器件。这些器件具有低交越损耗、更少栅极电荷和更小的反向恢复电荷，与硅MOSFET相比，可提供与碳化硅（SiC） FET相似的现场可靠性和更高的性能。与竞争对手的GaN晶体管相比，Transphorm的FET还提供业界最高的4 V阈值电压和±20 V的栅极稳健性等级。

还提供汽车级的GaN FET Transphorm，其中包括业界首款获得AEC-Q101认证的氮化镓解决方案TPH3205WSBQA和AEC-Q101认证的设备TP65H035WSQA行业的175摄氏度的第一标准。与非汽车应用中，使用车辆电气系统比可比较的基于硅的溶液的650 V.的GaN FET的，功率密度可提高40％，而多达20％的总系统成本。

最后，贸泽电子推出的Transphorm评估平台允许设计人员研究开关特性和效率。该套件支持各种电源系统拓扑，包括逆变器、半桥降压或升压（通孔和SMD解决方案）以及无桥图腾柱PFC，并支持一系列额定功率。例如，包括1.2 kW和2.5 kW半桥评估平台以及2.5 kW和4 kW无桥图腾柱PFC评估平台。

---