电源轨电压去耦的最坏情况分析

有块数字电路板需要对其轨电压去耦举行“最坏情形”阐发，但挑衅在于要肯定最坏情况下的电流脉冲情形。

以后的使命是要注解，将轨电压传送到一块元器件浓密的电路板上时，其关于每安培电路板电流变迁，不会禁受跨越40mV的刹时漂移。上述变迁(从10~90%和从90~10%)的回升和降低时候规定为不跨越3ns。

阐发的第一部份是要表征电流漂移。为此设想了两个模子：正弦半波和带位移余弦。如图1和图2所示，可以对这两种情形推导出脉冲表面的参数，从而发生3ns的回升时候和3ns的降低时候。

这两个脉冲模子之间的首要差别在于，正弦半波在电流固定的起止地位拥有拐角，在这些处所一阶导数会产生渐变；带位移余弦模子可以使这些过渡变得腻滑，是以没有一阶导数渐变。其效果很快就会显而易见。

图1：正弦半波脉冲模子在电流的起止地位拥有拐角，在这些处所一阶导数会产生渐变。

图2：带位移余弦脉冲模子使过渡变得腻滑，是以没有一阶导数渐变。

把这两个脉冲模子堆叠起来就会发明，虽然它们俩有所分歧，然则确凿相互异常靠近。

图3：两个脉冲模子异常靠近。

图4：电路板和电源电容器能够看做五个R、L、C的组合。

图5：用递归微分方程查抄电压效果(本例中j=5)。

图6：从图中可知两种脉冲模子的轨电压漂移情形。

上述效果注解，两种电流脉冲模子吻合＜40mV请求。值得注重的是，正弦模子的轨电压渐变是由正弦半波不连贯的di/dt惹起理想天下中，这只是实践情形的近似值。