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LDO电路,为什么电容的选择至关重要?

时间:2021-12-01 05:28:00



为何电容的抉择相当首要?

电容每每被人们所疏忽。电容既没有数十亿计的晶体管,也没有接纳最新的亚微米创造工艺。在许多工程师的心目中,电容不过是两个导体加之旁边的断绝电解质。总而言之,它们属于最初级的电子元件之一。
工程师们平日经由过程增添一些电容的设施来解决噪声题目。这是由于他们广泛将电容视为解决噪声相干题目的“灵丹灵药”,很少思量电容和额外电压之外的参数。然则,和其余电子元器件同样,电容也有缺点,比方寄生电容、电感、电容温漂和电压偏移等非现实特点。

为许多旁路使用或电容实践容值异常首要的使用抉择电容时,必需思量上述这些要素。电容抉择欠妥可能会致使电路不稳定,噪声或功耗过大,产物寿命收缩,以及电路行动弗成展望等征象。


电容手艺

电容拥有种种尺寸、额外电压和别的特点,可以或许餍足分歧使用的详细请求。经常使用电介质资料包孕油、纸、玻璃、氛围、云母、种种聚合物薄膜和金属氧化物。每一种电解质都拥有一系列特定属性,可餍足每种使用的怪异需要。
在电压调节器中,有三大类电容平日用作电压输出和输入旁路电容:多层陶瓷电容、固态钽电解电容和铝电解电容


多层陶瓷电容

多层陶瓷电容(MLCC)同时拥有小型、无效串连电阻和电感 (ESR和ESL)低、事情温度局限宽的好处,一般为作为旁路电容的首选。

它并不是无可抉剔。依据所用的电介质资料,电容大概随温度变迁和交直流偏置产生大幅偏移。另外,由于在许多陶瓷电容中介电质资料拥有压电性,振动或机器打击可能会转化为电容上的交换噪声电压。在大部分情况下,此噪声普通处于 微伏范围内。但在极度情况下,可能会发生毫伏级的噪声。

VCO、PLL、RF PA以及低电平模仿旌旗灯号链等使用对电源轨上的噪声异常敏感。这类噪声在VCO和PLL中表现为相位噪声,而在RFPA中则为载波振幅调制。在EEG、超声波和CAT扫描前置放大器等低电平旌旗灯号链使用中,噪声会致使在这些仪器的输入中涌现杂散乐音。在所有这些噪声敏感使用中,必需当真评价多层陶瓷电容。
抉择陶瓷电容时是不是思量温度和电压效应异常首要。多层陶瓷电容选型部份谈到了依据公役和直流偏置特点来肯定某个电容的最小电容值的进程。
尽管陶瓷电容仍有瑕玷,但关于许多使用都能够完成尺寸最 小、性价比最高的解决计划,因此在现今简直每一类电子设 备上都能看到它们的身影。


固态钽电解电容

这类电容单元体积电容最高(CV乘积)。惟独双层或超等电容才拥有更高的CV乘积。
在1μF范围内,陶瓷依然更小且ESR低于钽,但固态钽电容不太会遭到温度、偏置电压或触动效应的影响。钽比陶瓷电容贵好几倍,但在无奈容忍压电效应的低噪声使用中,钽常常是仅有可行的抉择。
市面上的传统低值固态钽电容所用外壳每每普通较小,故等效串连电阻(ESR)较高。大容值(>68 μF)钽电容可拥有低于1Ω的ESR,但普通体积较大。
比来市场上涌现了一种新钽电容,它应用导电聚合物电解质接替一般的二氧化锰固态电解质。已往,固态钽电容浪涌电流才能无限,需求一个串连电阻将浪涌电流限定在安全值内。导电聚合物钽电容不会遭到浪涌电流限定。这项手艺的另外一优点是电容ESR更低。
任何钽电容的泄露电流比等值陶瓷电容大好几倍,大概不适合超低电流使用。
比方,在85°C事情温度下,1μF/25V钽电容在额外电压下的最大泄露电流为2.5μA。
多家厂商供应0805外壳、1μF/25V、500mΩESR的导电聚合物钽电容。尽管比0402或0603外壳的典范1μF陶瓷电容更大一些,但0805在RF和PLL等以低噪声为首要设想目的的使用中, 电容尺寸仍是显然有所减少。
由于固态钽电容的电容值能够相对温度和偏置电压坚持稳固的电容特点,是以抉择规范仅包孕容差、事情温度范围内的降压情形以及最大ESR。
固态聚合物电解质手艺的一大瑕玷是,这种钽电容在无铅焊接工艺中更轻易受低温影响。普通情况下,创造商会细致解释电容不得裸露于三个以上的焊接周期。如果在装置工艺中疏忽这一请求,就会致使长时间靠得住性问题。


铝电解电容

传统的铝电解电容每每体积较大、ESR和ESL较高、漏电流相对于较高应用寿命无限(以数千小时计)。
OS-CON型电容是一种与固态聚合物钽电容无关手艺,实际上比钽电容早10年或更早就问世了。它们接纳无机半导体电解质和铝箔阴极完成较低的ESR由于不存在液态电解质突变题目,OS-CON型电容应用寿命比传统铝电解电容有了很大进步。


多层陶瓷电容选型

LDO设想接纳节减空间的小型陶瓷电容事情只需思量ESR能够接纳大多数经常使用电容输入电容的ESR会影响LDO操纵回路的稳定性。为了确保LDO稳固事情保举应用至多1μF、ESR为1Ω或更小的电容。

 

表1. 测试前提

图1.输入负载瞬态呼应,COUT = 1 μF

图2.输入瞬态负载呼应,COUT = 10 μF

图3.输入负载瞬态呼应,COUT = 20 μF


在VIN和GND之间连贯一个1μF电容能够下降电路对PCB结构的敏感性,特别是输出走线或高源阻抗的情况下假如请求输入电容大于1μF,应选用更高输出电容。




 

公式1


CBIAS事情电压下无效电容。
TVAR为最差情况下电容随温度变迁量(几分之一)。
TOL为最差情况下的元件容差(几分之一)。


本例假设X5R电介质在?40°C至+85°C范围内的最差情形电容(TVAR)为0.15(15假定电容容差(TOL)为0.10(10%), CBIAS在1.8 V时为0.94μF,如图4所示。

将这些值代入公式1中可得到:


在此示例中,LDO指定在冀望事情电压和温度范围内的最小输入旁通电容为0.70是以,针对此使用所选的电容餍足请求。

图4. 电容与电压偏置特点瓜葛


结束语

为了保障LDO功能必需懂得评价旁通电容的直流偏置、温度变迁和容差对所选电容的影响另外请求低噪声、低漂移旌旗灯号完整性使用必需当真思量电容手艺。所有电容都市遭到现实行动的影响, 但一些电容手艺其余手艺更适合于某些特定使用。



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