JANS2N6849
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Infineon
英飞凌
电子元器件分类
JANS2N6849中文资料参数规格
技术参数
输入电容Ciss 800pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
JANS2N6849引脚图与封装图
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在线购买JANS2N6849
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANS2N6849 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39 | 搜索库存 |
替代型号JANS2N6849
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANS2N6849 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39 | 当前型号 |
| 型号： 2N6849 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | 晶体管, MOSFET, P沟道, 6.5 A, -100 V, 0.3 ohm, -10 V, -4 V | JANS2N6849和2N6849的区别 |
| 型号： JANTXV2N6849 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39 T/R | JANS2N6849和JANTXV2N6849的区别 |
| 型号： JANTX2N6849 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A ID, 100V, 0.345Ω, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3Pin | JANS2N6849和JANTX2N6849的区别 |