J176,126

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3Pin SPT Ammo

JFET P 通道 30 V 400 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
JFET P-CH 30V TO92-3

艾睿:
Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3-Pin SPT Ammo

Verical:
Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3-Pin SPT Ammo

J176,126中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 250 Ω

漏源极电压Vds 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 8pF @10VVgs

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

宽度 4.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

J176,126引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
J176,126	NXP 恩智浦	Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3Pin SPT Ammo	搜索库存

替代型号J176,126

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： J176,126 品牌： NXP 恩智浦封装： TO-226-3	当前型号	Trans JFET P-CH 30V 35mA Si 3Pin SPT Ammo	当前型号
型号： J177,126 品牌：恩智浦封装： TO-226-3	类似代替	射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 AMMORA FET-RFSS	J176,126和J177,126的区别
型号： J175,116 品牌：恩智浦封装： TO-226-3	类似代替	JFET P-CH 30V 0.4W TO92	J176,126和J175,116的区别
型号： J174 品牌： InterFET 封装：	功能相似	JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW	J176,126和J174的区别