IPD80R4K5P7ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 1.5A（Tc） 13W（Tc） TO-252

得捷:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252

欧时:
Infineon MOSFET IPD80R4K5P7

立创商城:
N沟道 800V 1.5A

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 13W; PG-TO252-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R

IPD80R4K5P7ATMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 3.8 Ω

耗散功率 13 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 80pF @500VVds

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 13W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IPD80R4K5P7ATMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IPD80R4K5P7ATMA1

型号	制造商	描述	购买
IPD80R4K5P7ATMA1	Infineon 英飞凌	晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3 V	搜索库存