IXFN110N85X
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN110N85X中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1170 W
漏源极电压Vds 850 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 17000pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1170000 mW
封装参数
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IXFN110N85X引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXFN110N85X | IXYS Semiconductor | N沟道 850V 110A | 搜索库存 |