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IPB100N08S2L-07

IPB100N08S2L-07

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

Summary of Features:

.
N-channel Logic Level - Enhancement mode
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Automotive AEC Q101 qualified
.
MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green package lead free
.
Ultra low Rdson
.
100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 75V on  in planar technology
.
highest current capability
.
lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
.
Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB100N08S2L-07中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 56 ns

输入电容Ciss 5400pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 22 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Solenoids control, Valves control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB100N08S2L-07引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB100N08S2L-07 Infineon 英飞凌 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPB100N08S2L-07
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB100N08S2L-07

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 75V 100A

当前型号

OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

当前型号

型号: IPB100N08S2-07

品牌: 英飞凌

封装: TO-263 N-CH 75V 100A

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