IXBN75N170A

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 625000mW 4Pin SOT-227B

IGBT 模块 - 单路 1700 V 75 A 625 W 底座安装 SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 75A 4-Pin SOT-227B

IXBN75N170A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 625000 mW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 7.4nF @25V

额定功率Max 625 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXBN75N170A引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXBN75N170A

型号	制造商	描述	购买
IXBN75N170A	IXYS Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 625000mW 4Pin SOT-227B	搜索库存