IXGK120N120B3
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGK120N120B3中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 830 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGK120N120B3引脚图与封装图
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