IXGP24N120C3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGP24N120C3中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGP24N120C3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGP24N120C3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGP24N120C3 | IXYS Semiconductor | Igbt 1200V 48A 250W To220 | 搜索库存 |