IXGA12N120A2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGA12N120A2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 75000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGA12N120A2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGA12N120A2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGA12N120A2 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 24A 75000mW 3Pin2+Tab TO-263AA | 搜索库存 |
替代型号IXGA12N120A2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGA12N120A2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 75000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 24A 75000mW 3Pin2+Tab TO-263AA | 当前型号 |
| 型号： IXGA12N120A3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 | 类似代替 | IGBT 晶体管 1200V, 12A IGBT; G Series | IXGA12N120A2和IXGA12N120A3的区别 |