IXXK100N60B3H1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXXK100N60B3H1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 695 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 140 ns
额定功率Max 695 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 695000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXXK100N60B3H1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXXK100N60B3H1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXXK100N60B3H1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 695000mW Automotive 3Pin TO-264 | 搜索库存 |
替代型号IXXK100N60B3H1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXXK100N60B3H1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 695000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 695000mW Automotive 3Pin TO-264 | 当前型号 |
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