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IXTQ110N055P

IXTQ110N055P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-3P N-CH 55V 110A

N-Channel 55V 110A Tc 390W Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 55V 110A TO3P


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin3+Tab TO-3P


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P


IXTQ110N055P中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 390W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 110A

输入电容Ciss 2210pF @25VVds

耗散功率Max 390W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTQ110N055P引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXTQ110N055P IXYS Semiconductor TO-3P N-CH 55V 110A 搜索库存
替代型号IXTQ110N055P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTQ110N055P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO N-CH 55V 110A

当前型号

TO-3P N-CH 55V 110A

当前型号

型号: IXTP110N055P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-220 N-CH 55V 110A

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