IXTK8N150L
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTK8N150L中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 3.6 Ω
耗散功率 700 W
阈值电压 8 V
漏源极电压Vds 1500 V
漏源击穿电压 1500 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 8000pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 95 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 700W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTK8N150L引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXTK8N150L | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1.5kV 8A 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |