IXFR14N100Q2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR14N100Q2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 200 W
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 9.5A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2700pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFR14N100Q2引脚图与封装图
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在线购买IXFR14N100Q2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFR14N100Q2 | IXYS Semiconductor | ISOPLUS N-CH 1000V 9.5A | 搜索库存 |
替代型号IXFR14N100Q2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFR14N100Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1000V 9.5A | 当前型号 | ISOPLUS N-CH 1000V 9.5A | 当前型号 |
| 型号： AP09N90W 品牌： 富鼎先进电子 封装： | 功能相似 | TO-3P N-CH 900V 8.6A | IXFR14N100Q2和AP09N90W的区别 |