IXFH17N80Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH17N80Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 600 mΩ
耗散功率 400 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH17N80Q引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFH17N80Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH17N80Q | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXFH17N80Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH17N80Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： FDH44N50 品牌： 安森美 封装： TO-247-3 | 功能相似 | ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装 | IXFH17N80Q和FDH44N50的区别 |