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IXTR90P10P

IXTR90P10P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Mosfet p-Ch 100V 57A Isoplus247

P-Channel 100V 57A Tc 190W Tc Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247


贸泽:
MOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds


IXTR90P10P中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 27 mΩ

耗散功率 190W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

输入电容Ciss 5800pF @25VVds

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTR90P10P引脚图与封装图
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