IXTR90P10P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
漏源极电阻 27 mΩ
耗散功率 190W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
输入电容Ciss 5800pF @25VVds
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTR90P10P | IXYS Semiconductor | Mosfet p-Ch 100V 57A Isoplus247 | 搜索库存 |