IXFP130N10T2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFP130N10T2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 9.1 mΩ
耗散功率 360 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFP130N10T2引脚图与封装图
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在线购买IXFP130N10T2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFP130N10T2 | IXYS Semiconductor | N沟道 100V 130A | 搜索库存 |
替代型号IXFP130N10T2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFP130N10T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 当前型号 | N沟道 100V 130A | 当前型号 |
| 型号： IXFP130N10T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 100V 130A | 类似代替 | TO-220 N-CH 100V 130A | IXFP130N10T2和IXFP130N10T的区别 |
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