IXTH02N250
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH02N250中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 2500 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 116pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH02N250引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTH02N250
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH02N250 | IXYS Semiconductor | N沟道,2500V,200mA,450Ω@10V | 搜索库存 |
替代型号IXTH02N250
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH02N250 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 2500V 0.2A | 当前型号 | N沟道,2500V,200mA,450Ω@10V | 当前型号 |
| 型号： IXTV02N250S 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS220 N-CH 2500V 0.2A | 类似代替 | PLUS220 N-CH 2500V 0.2A | IXTH02N250和IXTV02N250S的区别 |
| 型号： IXTA02N250HV 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263AB N-CH 2500V 0.2A | 功能相似 | TO-263AB N-CH 2500V 0.2A | IXTH02N250和IXTA02N250HV的区别 |