IXTK82N25P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTK82N25P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 500W Tc
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 82A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 4800pF @25VVds
额定功率Max 500 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTK82N25P引脚图与封装图
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在线购买IXTK82N25P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK82N25P | IXYS Semiconductor | 通孔 N 通道 250V 82A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK） | 搜索库存 |
替代型号IXTK82N25P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTK82N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 250V 82A | 当前型号 | 通孔 N 通道 250V 82A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK） | 当前型号 |
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