IXTP05N100P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP05N100P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 50W Tc
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 0.5A
输入电容Ciss 196pF @25VVds
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP05N100P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXTP05N100P | IXYS Semiconductor | TO-220AB N-CH 1000V 0.5A | 搜索库存 |