IXTH50P085
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH50P085中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -85.0 V
额定电流 -50.0 A
通道数 1
漏源极电阻 55 mΩ
耗散功率 300 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 85 V
漏源击穿电压 85 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 39 ns
输入电容Ciss 4200pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH50P085引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXTH50P085 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 85V 50A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |