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IXTT16P60P

IXTT16P60P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-268P-CH 600V 16A

表面贴装型 P 通道 600 V 16A(Tc) 460W(Tc) TO-268AA


得捷:
MOSFET P-CH 600V 16A TO268


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin2+Tab TO-268


Verical:
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin2+Tab TO-268


DeviceMart:
MOSFET P-CH 600V 16A TO-268


IXTT16P60P中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 460 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 16A

输入电容Ciss 5120pF @25VVds

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTT16P60P引脚图与封装图
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在线购买IXTT16P60P
型号 制造商 描述 购买
IXTT16P60P IXYS Semiconductor TO-268P-CH 600V 16A 搜索库存
替代型号IXTT16P60P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTT16P60P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-2 P-CH 600V 16A

当前型号

TO-268P-CH 600V 16A

当前型号

型号: IXTH16P60P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 P-CH 600V 16A

完全替代

TO-247P-CH 600V 16A

IXTT16P60P和IXTH16P60P的区别