IXFL32N120P

IXYS Semiconductor 分立器件

ISOPLUS N-CH 1200V 24A

通孔 N 通道 24A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUSi5-Pak™

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK

贸泽:
MOSFET 32 Amps 1200V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 24A 3-Pin3+Tab ISOPLUS I5-PAK

IXFL32N120P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 340 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 520 W

漏源极电压Vds 1200 V

漏源击穿电压 1200 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 62 ns

输入电容Ciss 21000pF @25VVds

下降时间 51 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.21 mm

高度 26.42 mm

封装 TO-264-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFL32N120P引脚图与封装图

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