IXFH52N30P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH52N30P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 400 W
漏源极电压Vds 300 V
输入电容Ciss 3490pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH52N30P引脚图与封装图
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在线购买IXFH52N30P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH52N30P | IXYS Semiconductor | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 搜索库存 |
替代型号IXFH52N30P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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