IXTP1N80

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-220AB N-CH 800V 0.75A

N-Channel 800V 750mA Tc 40W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 800V 750MA TO220AB

贸泽:
MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.75A 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXTP1N80中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 0.75A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 220pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTP1N80引脚图与封装图

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