IXTQ69N30P

IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 300V 69A

N-Channel 300V 69A Tc 500W Tc Through Hole TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 300V 69A TO3P

立创商城:
N沟道 300V 69A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 69A 3-Pin3+Tab TO-3P

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P

Win Source:
MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P

IXTQ69N30P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 500 W

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 69A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 4960pF @25VVds

额定功率Max 500 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTQ69N30P引脚图与封装图

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