IXFN120N25
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN120N25中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 250 V
封装参数
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN120N25引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXFN120N25 | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 250V 120A Sot-227B | 搜索库存 |