IXTU01N80

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-251AA N-CH 800V 0.1A

N-Channel 800V 100mA Tc 25W Tc Through Hole TO-251

得捷:
MOSFET N-CH 800V 100MA TO251

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.1A 3-Pin3+Tab TO-251AA

IXTU01N80中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 0.1A

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTU01N80引脚图与封装图

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