IXFX80N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFX80N50P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 65.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1040W Tc
输入电容 1.28 nF
栅电荷 197 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 12700 pF
额定功率Max 1040 W
耗散功率Max 1040W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 5.21 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFX80N50P引脚图与封装图
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在线购买IXFX80N50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFX80N50P | IXYS Semiconductor | IXFX80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IXFX80N50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFX80N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 500V 80A 65mΩ 1.28nF | 当前型号 | IXFX80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IXFK80N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264 N-Channel 500V 80A 65mΩ 1.28nF | 功能相似 | IXFK80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET | IXFX80N50P和IXFK80N50P的区别 |