IXTH50N30
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH50N30中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 65 mΩ
耗散功率 400 W
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 4400pF @25VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH50N30引脚图与封装图
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在线购买IXTH50N30
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH50N30 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号IXTH50N30
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH50N30 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
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| 型号： IXFV52N30P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 300V 52A 66mohms 3.49nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3Pin3+Tab PLUS 220 | IXTH50N30和IXFV52N30P的区别 |
| 型号： IXTQ52N30P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 300V 52A | 功能相似 | N沟道 300V 52A | IXTH50N30和IXTQ52N30P的区别 |