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IPU80R2K8CEBKMA1

IPU80R2K8CEBKMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3


欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU80R2K8CEBKMA1, 1.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.1A; 42W; IPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


IPU80R2K8CEBKMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 42 W

极性 N-CH

耗散功率 42 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 1.9A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 290pF @100VVds

额定功率Max 42 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.41 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPU80R2K8CEBKMA1引脚图与封装图
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在线购买IPU80R2K8CEBKMA1
型号 制造商 描述 购买
IPU80R2K8CEBKMA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPU80R2K8CEBKMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPU80R2K8CEBKMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-251-3 N-CH 800V 1.9A

当前型号

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号： IPU80R2K8CEAKMA1

品牌： 英飞凌

封装： PG-TO251-3

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800V CoolMOS™ CE is Infineon’s high performance device family offering 800 volts break down voltage. The CE targets consumer electronics applications as well as Lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS™ family, Infineon combines long experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation.

IPU80R2K8CEBKMA1和IPU80R2K8CEAKMA1的区别