IPD122N10N3GBTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 100V 59A

N-Channel 100V 59A Tc 94W Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IPD122N10N3GBTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 94 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 59A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2500pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPD122N10N3GBTMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IPD122N10N3GBTMA1

型号	制造商	描述	购买
IPD122N10N3GBTMA1	Infineon 英飞凌	DPAK N-CH 100V 59A	搜索库存