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IPB60R190C6

IPB60R190C6

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


立创商城:
N沟道 600V 20.2A


欧时:
### Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 4-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin2+Tab D2PAK


儒卓力:
**CoolMOS 600V 20A 190mOhm TO263 **


力源芯城:
600V,20.2A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263


IPB60R190C6中文资料参数规格
技术参数

额定功率 151 W

极性 N-Channel

耗散功率 151 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1400pF @100VVds

额定功率Max 151 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB60R190C6引脚图与封装图
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在线购买IPB60R190C6
型号 制造商 描述 购买
IPB60R190C6 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号IPB60R190C6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPB60R190C6

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-263 N-Channel 650V 20.2A

当前型号

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

当前型号

型号： SPB20N60C3

品牌： 英飞凌

封装： TO263-3 N-Channel 650V 20.7A 4.5nF

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封装： TO-263 N-Channel 60V 50A 18mohms

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