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IPP65R280C6XKSA1

IPP65R280C6XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220


IPP65R280C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 104 W

极性 N-CH

耗散功率 104 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 13.8A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 950pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPP65R280C6XKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPP65R280C6XKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP65R280C6XKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存
替代型号IPP65R280C6XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPP65R280C6XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220-3 N-CH 650V 13.8A

当前型号

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装

当前型号

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封装： TO-220 N-Channel 650V 15A

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封装： TO-220 N-CH 650V 15A

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