
极性 N-CH
耗散功率 140W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 63A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 3980pF @25VVds
下降时间 48 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Operated Drive, Lighting LED
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRLR3110ZTRRPBF | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 100V 63A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRLR3110ZTRRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: DPAK N-CH 100V 63A | 当前型号 | DPAK N-CH 100V 63A | 当前型号 | |
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型号: IRLR3110ZPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 100V 63A | 类似代替 | INFINEON IRLR3110ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V | IRLR3110ZTRRPBF和IRLR3110ZPBF的区别 | |
型号: AUIRLR3110Z 品牌: 英飞凌 封装: TO-252AA N-CH 100V 63A | 类似代替 | INFINEON AUIRLR3110Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 1 V | IRLR3110ZTRRPBF和AUIRLR3110Z的区别 |