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IRLR3110ZTRRPBF

IRLR3110ZTRRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 100V 63A

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Logic Level

立创商城:
IRLR3110ZTRRPBF


得捷:
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IRLR3110ZTRRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 140W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 63A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 3980pF @25VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Battery Operated Drive, Lighting LED

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IRLR3110ZTRRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRLR3110ZTRRPBF Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 100V 63A 搜索库存
替代型号IRLR3110ZTRRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRLR3110ZTRRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DPAK N-CH 100V 63A

当前型号

DPAK N-CH 100V 63A

当前型号

型号: IRLR3110ZTRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 63A

类似代替

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

IRLR3110ZTRRPBF和IRLR3110ZTRPBF的区别

型号: IRLR3110ZPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 63A

类似代替

INFINEON  IRLR3110ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V

IRLR3110ZTRRPBF和IRLR3110ZPBF的区别

型号: AUIRLR3110Z

品牌: 英飞凌

封装: TO-252AA N-CH 100V 63A

类似代替

INFINEON  AUIRLR3110Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 1 V

IRLR3110ZTRRPBF和AUIRLR3110Z的区别