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IPA60R800CEXKSA1

IPA60R800CEXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 600 V 5.6A(Tc) 27W(Tc) PG-TO220-FP


得捷:
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 5.6A 3-Pin TO-220 Tube


富昌:
N-沟道 600 V 5.6 A 800 mΩ 17.2 nC CoolMOS CE 功率 晶体管 - TO-220FP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.6A; 27W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


IPA60R800CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 27 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.68 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 27 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.6A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 373pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 27W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA60R800CEXKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPA60R800CEXKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPA60R800CEXKSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPA60R800CEXKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPA60R800CEXKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 600V 5.6A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPAN60R800CEXKSA1

品牌: 英飞凌

封装: PG-TO220-3 N-CH 600V 8.4A

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晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

IPA60R800CEXKSA1和IPAN60R800CEXKSA1的区别